双N管 MOSFET NCE8651Q

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产品编码
03-408-00667-1

N+N沟道增强型场效应管 NCE8651Q Vds=20V Ids=10A RDS(ON):11mΩ @ VGS=4.5V,DFN3x3

NCE8651Q是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N+N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。

产品应用:

  • 电池保护开关电路
  • 便携式电池充放电路
品名双N管 MOSFET NCE8651Q
型号NCE8651Q
丝印标识NCE8651Q
封装DFN3×3_8L
器件结构沟槽工艺
晶体管类型双通道
晶体管极性N&N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds20V
连续漏极电流 Id @ 25°C10A 10A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs7.2mOhms @ 10A 4.5V & 7.2mOhms @ 10A 4.5V
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id0.7V @ 250μA & 0.7V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±12V ±12V
栅极电荷 Qg @ Vgs29nC @ 10V & 29nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds1255pF @ 10V & 1255pF @ 10V
N沟道接通延迟时间(nS) 300.00
N沟道接通上升时间(nS) 1,000.00
N沟道关断延迟时间(nS) 4,000.00
N沟道关断下降时间(nS) 2,500.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is0.85V @ 10A & 0.85V @ 10A
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量3000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
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