双N管 MOSFET NCE8205

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产品编码
03-408-00128-1

N+N沟道增强型场效应管NCE8205 Vds=19V Ids=4A RDS(ON):27mΩ @ VGS=4.5V,SOT-23-6

NCE8205是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N+N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,共漏极,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,稳定性好。

产品应用:

  • 锂电池保护板
  • 转换开关电路
  • 电源管理电路
品名双N管 MOSFET NCE8205
型号NCE8205
丝印标识8205
封装SOT-23-6L
器件结构沟槽工艺
晶体管类型双通道
晶体管极性N&N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds19V
连续漏极电流 Id @ 25°C4A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs22mOhms @ 4A 4.5V & 22mOhms @ 4A 4.5V
耗散功率(W)1.25W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id0.7V @ 250μA & 0.7V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±10V ±10V
栅极电荷 Qg @ Vgs11nC @ 4.5V & 11nC @ 4.5V
输入结电容值 Ciss @ Vds800pF @ 8V & 800pF @ 8V
N沟道接通上升时间(nS) 5.00
N沟道关断延迟时间(nS) 43.00
N沟道关断下降时间(nS) 20.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is0.8V @ 2A & 0.8V @ 2A
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量3000
包装方法编带塑料盘
生产状态现货
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
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