双N管 MOSFET NCE4618SP 共漏极

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产品编码
03-408-00557-1

N+N沟道增强型场效应管NCE4618SP Vsss=+24V Ids=+6A Rss(on)

NCE4618SP是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N+N沟槽型MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,VGS(MAX)为12V时,拥有低源源导通电阻 Rss(ON)、低门电荷、门开启电压低至2.5V,带ESD保护,共D极。该MOSFET有着广泛的应用。

产品应用:

  • 锂电池充放电开关电路
品名双N管 MOSFET NCE4618SP 共漏极
型号NCE4618SP
丝印标识4618SP
封装CSP
器件结构沟槽工艺
晶体管类型双通道
晶体管极性N&N管
通道模式增强型
静态源源导通电阻 Rss(ON)(mΩ)18.3mOhms @ 3A 4.5V
耗散功率(W)1.6W
栅极-源极电压 Vgs±12V
典型栅源截止电压 Vgs(off) @ Id0.83V @ Is:1mA
栅极电荷 Qg @ Vgs25.4nC @ 4.5V
正向跨导6.5S
N沟道接通延迟时间(nS) 15.00
N沟道接通上升时间(nS) 50.00
N沟道关断延迟时间(nS) 40.00
N沟道关断下降时间(nS) 55.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.2V @ 6A
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量5000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
外观尺寸1.78 x 1.78 x 0.36
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