双N沟道 MOSFET NCE6802

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产品编码
03-408-00731-1

N+N沟道增强型场效应管NCE6802 Vds=30V Ids=3.5A RDS(ON):46mΩ @ VGS=10V,SOT-23-6L

NCE6802是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N+N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。

产品应用:

  • 电池保护板电路
  • 负载开关电路
  • 电源管理电路
品名双N沟道 MOSFET NCE6802
型号NCE6802
丝印标识NCE6802
封装SOT-23-6L
器件结构沟槽工艺
晶体管类型双通道
晶体管极性N&N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds30V 30V
连续漏极电流 Id @ 25°C3.5A 3.5A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs36mOhms @ 3.5A 10V & 36mOhms @ 3.5A 10V
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id1.5V @ 250μA & 1.5V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V ±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs4nC @ 10V & 4nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds170pF @ 15V & 170pF @ 15V
N沟道接通延迟时间(nS) 4.50
N沟道接通上升时间(nS) 1.50
N沟道关断延迟时间(nS) 18.50
N沟道关断下降时间(nS) 15.50
体二极管正向电压 Vsd @ Is0.8V @ 3.5A & 0.8V @ 3.5A
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量3000
包装方法编带塑料盘
生产状态现货
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
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