双N沟道 MOSFET NCE30ND07S

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产品编码
03-408-01038-1

N+N沟道增强型场效应管 NCE30ND07S Vds=30V Ids=7A RDS(ON):23mΩ @ VGS=10V,SOT-23-6L

NCE30ND07S是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N+N沟道MOSFET,通道独立分开,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。

  • 电池保护板电路
  • 负载开关电路
  • 电源管理电路
品名双N沟道 MOSFET NCE30ND07S
型号NCE30ND07S
丝印标识30ND07S
封装SOP-8
器件结构沟槽工艺
晶体管类型双通道
晶体管极性N&N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds30V 30V
连续漏极电流 Id @ 25°C7A 7A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs18mOhms @ 7A 10V & 18mOhms @ 7A 10V
耗散功率(W)2.0W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id1.1V ~ 2.1V @ 250μA & 1.1V ~ 2.1V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V ±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs7.2nC @ 4.5V & 7.2nC @ 4.5V
输入结电容值 Ciss @ Vds380pF @ 15V & 380pF @ 15V
正向跨导15S 15S
N沟道接通延迟时间(nS) 5.00
N沟道接通上升时间(nS) 3.00
N沟道关断延迟时间(nS) 15.00
N沟道关断下降时间(nS) 3.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.2V @ 7A & 1.2V @ 7A
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C135nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量4000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
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