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沟槽型 Trench MOSFET NCE82H160

¥ 6.55
缺货
产品编码
408-01820-1

N沟道增强型 Trench MOSFET NCE82H160 Vds=82V Ids=160A ,TO-220

NCE82H160采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷下拥有优良的RDS(ON)。高EAS一致性。

产品应用:

● ● DC/DC转换
● 理想的高频开关和同步整流设备

品名沟槽型 Trench MOSFET NCE82H160
型号NCE82H160
丝印标识NCE82H160
品牌新洁能
封装TO-220
材料技术硅基
晶体管极性N管
器件结构沟槽工艺
晶体管配置单通道
通道模式增强型
配置单芯片
漏源极击穿电压 Vds82V
连续漏极电流 Id160A
漏源导通电阻 Rdson1.0Ohms @ 0.22A 10V
耗散功率(W)32.7W
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -5.3A
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C135nC
包装方法管装
生产状态接单生产
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