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沟槽型 Trench MOSFET PL6050K DEMO

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产品编码
423-00021-1 DEMO

N沟道增强型 Trench MOSFET PL6050K Vds=60V Ids=50A RDS(ON):12mΩ @ VGS=10V,TO-252

PL6050K是一款采用先进技术工艺生产的增强型N沟道MOSFET,传导和开关功率损耗达最小化,稳定性好,具有很高的EAS一致性。

产品应用:

● DC/DC转换
● 电源管理电路

品名沟槽型 Trench MOSFET PL6050K DEMO
型号PL6050K
丝印标识PL6050K
品牌首米
封装TO-252B
材料技术硅基
晶体管极性N管
器件结构沟槽工艺
晶体管配置单通道
通道模式增强型
配置单芯片
漏源极击穿电压 Vds60V
连续漏极电流 Id50A
漏源导通电阻 Rdson12mOhms @ 20A 10V
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅源极阈值电压 Vgs(th)2V ~ 4V @ 250μA
耗散功率(W)88W
栅极电荷 Qg @ Vgs51nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds2068pF @ 20V
典型接通延迟时间 - Td(on)20nS
上升时间 - Tr14nS
典型关断延迟时间 - Td(off)7.2nS
下降时间 - Tf13nS
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.5V @ 2A
恢复时间 - trr28nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C24nC
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
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