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沟槽型 Trench MOSFET PL4953AX

¥ 0.45
缺货
产品编码
423-00020-1

P+P沟道增强型 沟槽管 MOSFET PL4953AX Vds=-30V Ids=-5.3A RDS(ON):49mΩ @ VGS=-10V,SOP-8

PL4953AX是一款采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷下拥有优良的RDS(ON)的增强型P沟道MOSFET,具有高EAS一致性,,符合RoHS标准。

产品应用:

● 电池保护电路
● 负载开关电路
● 电源管理电路

品名沟槽型 Trench MOSFET PL4953AX
型号PL4953AX
丝印标识4953A
品牌首米
封装SOP-8
材料技术硅基
晶体管极性P&P管
器件结构沟槽工艺
晶体管配置双通道
通道模式增强型
配置双芯片
漏源极击穿电压 Vds-30V
连续漏极电流 Id-5.3A -5.3A
漏源导通电阻 Rdson1.0Ohms @ 0.22A 10V
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅源极阈值电压 Vgs(th)-1.6V @ -250μA
耗散功率(W)2.6W
栅极电荷 Qg @ Vgs12nC @ -10V
输入结电容值 Ciss @ Vds540pF @ -15V
典型接通延迟时间 - Td(on)8nS
上升时间 - Tr14nS
典型关断延迟时间 - Td(off)18nS
下降时间 - Tf10nS
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -5.3A
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C135nC
最小包装数量4000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
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