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沟槽型 Trench MOSFET GL5N04

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产品编码
460-00367-1

N沟道增强型沟槽MOSFET GL5N04 Vds=40V Ids=5A RDS(ON)=30mΩ @ VGS=10V,SOT-23-3L

GL5N04采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷下拥有优良的RDS(ON)。它可以用于各种应用程序。包装形式为SOT-23-3L,符合RoHS标准。

产品应用:

● PWM应用电路
● 负载开关电路
● 开关电源电路

品名沟槽型 Trench MOSFET GL5N04
型号GL5N04
丝印标识5N04
品牌光磊
封装SOT-23-3L
材料技术硅基
晶体管极性N管
器件结构沟槽工艺
晶体管配置单通道
通道模式增强型
配置单芯片
漏源极击穿电压 Vds40V
连续漏极电流 Id5A
漏源导通电阻 Rdson30mOhms @ 2.5A 10V
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅源极阈值电压 Vgs(th)1.6V @ 250μA
耗散功率(W)1.4W
栅极电荷 Qg @ Vgs10nC @ 10V
正向跨导10S
输入结电容值 Ciss @ Vds620pF @ 10V
典型接通延迟时间 - Td(on)7nS
上升时间 - Tr21nS
典型关断延迟时间 - Td(off)27nS
下降时间 - Tf7nS
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.5V @ 5A
恢复时间 - trr50nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C120nC
最小包装数量3000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
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