加载.....

屏蔽栅沟槽型功率MOSFET NCEP039N10M

¥ 4.15
缺货
产品编码
408-01824-1

屏蔽栅沟槽型功率MOSFET NCEP039N10M

屏蔽栅沟槽型功率MOSFET NCEP039N10M

品名屏蔽栅沟槽型功率MOSFET NCEP039N10M
型号NCEP039N10M
丝印标识NCEP039N10M
品牌新洁能
封装TO-220
材料技术硅基
晶体管极性N管
器件结构屏蔽栅深沟槽工艺
晶体管配置单通道
通道模式增强型
配置单芯片
漏源极击穿电压 Vds100V
漏源导通电阻 Rdson1.0Ohms @ 0.22A 10V
耗散功率(W)32.7W
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -5.3A
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C135nC
包装方法管装
生产状态量产中
编写您自己的评论
您正在评论:屏蔽栅沟槽型功率MOSFET NCEP039N10M